Micro Resist纳米压印光刻胶

mr-I 7000E系

纳米压印光刻胶

Tg = 60℃

优异的成膜质量

由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间

压印温度125 - 150℃，压印压力20 - 50 bar

Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA

可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

Tg = 115℃

优异的成膜质量

由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间

压印温度170 - 190℃，压印压力20 - 50 bar

Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA

可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

mr-I PMMA

35k/75系列

Tg = 105℃

优异的成膜质量

低分子量从而实现高效的流动性

压印温度150 - 180℃，压印压力50 bar

可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

Tg = 85℃

优异的成膜质量

压印温度140 - 170℃，压印压力大于5 bar

Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶

非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率，高化学稳定性

可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

热固化之前Tg = 35℃

优异的成膜质量

接近等温加工处理

n 压印温度120℃

n 脱模温度100℃

压印时温度从Tg到Tg，Cured增加并固化

非常低的残余胶层厚度低至5 nm

Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶

可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

光化学固化之前Tg = 40℃

优质的固体光胶薄膜

接近等温加工处理：压印、紫外曝光固化，压印与脱模在同一温度下进行

非常低的残余胶层厚度低至10 nm

图案转移时高保真度

Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶

可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

宽带或i线曝光

mr-UVCur06

纳米压印光刻胶

旋涂使用

优质的成膜质量和胶厚均一性

室温加工处理

由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间

低剂量紫外曝光快速固化

可获得优于30 nm的分辨率（取决于模版分辨率）

Plasma刻蚀高阻抗性能

O2 Plasma刻蚀可无残余去除

宽带或i线曝光