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首页 >> 技术文章 >>Wet Etching-湿法刻蚀 >> 硅（Sillicon）湿法刻蚀方案
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详细内容

硅（Sillicon）湿法刻蚀方案

序号

配比

蚀刻剂

速率（埃/秒）

温度/其他

掩膜

1

64:3:33

HNO3 : NH4F : H2O

100 angstroms/s



2

61:11:28

Ethylenediamine : C6H4(OH)2 : H2O

78 angstroms/s



3

108ml : 350g : 1000ml

HF : NH4F : H2O

slow – 0.5 angstroms/min



4

1:1:50

HF : HNO3 : H2O

slow etch



5


KCl dissolved in H2O




6


KOH : H2O : Br2/I2




7


KOH




8

40% or diluted

KOH

300~2000

（取决于浓度和温度）

60℃-90℃

Si3N4

9

1 : 1 : 1.4 : 0.15% : 0.24%

HF : HNO3 : HAc : I2 : triton




10

1:6:3

HF : HNO3 : HAc




11


and 0.19 g NaI per 100 ml solution




12

1:4

Iodine Etch : HAc




13

0.010 N

NaI




14


NaOH




15


HF : HNO3




16

1:1:1

HF : HNO3 : H2O
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