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芯片封装制造工艺——划片（Wafer Saw）芯片依照单颗大小、需要种类等，要在蓝膜上切割成颗粒状，以便于单个取出分开。划片时需控制移动划片刀的速度及划片刀的转速。不同芯片的厚度及蓝膜的黏性都需要有不同的配合的划片参数，以减少划片时在芯片上产生的崩碎现象。划片时需要用洁净水冲洗，以便移除硅渣。切割中残留的硅渣会破坏划片刀具及芯片，造成良品率损失。喷水的角度及水量，都需要控制。 一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40μm左右。若用雷射光 取代切割刀片可将切割宽度减小到20μm。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式，也建议使用雷射光切割。因为用一般切割刀片切割，在使用特别的刀片下，勉强可以切割三层堆叠的芯片。所以雷射光切割比较好。 有些芯片在划片时为了达到特殊的芯片表面保护效果，同一切割道要切割两次。此时第一次切割时用的刀片比较宽，第二次切割时用的刀片比较窄。 切割时要特别注意，不可切穿芯片背面的蓝膜。若切穿蓝膜会造成芯片颗粒散落，后序的贴片工艺无法进行。 划片时洁净水的电阻值要控制在1MΩ之下，以保护芯片颗粒不会有静电（ESD）破坏的问题。 一般划片时移动的速度为50mm/s。 一般划片时的刀片旋转的速率为38000r/min。 划片完成后，还需要用洁净水冲洗芯片表面，保证芯片上打线键合区不会有硅粉等残留物，如此才能保证后序打线键合工艺的成功良品率。有时在洁净水中还要加入清洁用的化学药剂及二氧化碳气泡，以便提高清洁的效果及芯片表面清洁度。 |
